パワー半導体市場 規模およびシェア分析 - 成長トレンドおよび予測 (2024 - 2031)

パワー半導体市場 サイズ - 分析

パワー半導体市場 トレンド

市場ドライバ - エネルギー効率の高いデバイスの開発

世界中の環境問題が高まっています。エネルギー消費量を削減し、電力のクリーナー源への移行に強い押しがあります。 パワー半導体メーカーがエネルギー使用量を最適化できる、よりエネルギー効率の高いデバイスを開発する機会が増えています。

ノートパソコンやスマートフォンなどのコンシューマー電子機器は、効率的なガリウム窒化物や炭化ケイ素トランジスタを含むコンパクトな電力管理ICを毎日使用しています。 業界では、従来の非効率的なモータ駆動システムや、幅広いバンドギャップ半導体を活用したデバイスへのリニア電源から切り替えることで、エネルギー法を大幅に削減できます。 GaN および SiC 力モジュールは操作の間に大いにより小さいサイズおよび低い電力の損失でより高い電力密度を提供します。

環境意識がグローバルに上昇し、エネルギー効率が決定要因となるため、半導体企業は今後も幅広いバンドギャップの提供を強化してまいります。 連続的なR&Dはより低い抵抗、より高い故障電圧およびより高い動作温度のような装置性能のメートルを改善することに焦点を合わせます。 このようなイノベーションは、グリーンアプリケーションの成長を加速し、パワー半導体市場収益を促進します。

市場機会 - ショットキーバリアダイオードのアプリケーションの増加

パワー半導体市場は、新しいデバイスの種類や材料に焦点を当てた企業のための機会を提供します。 そのような技術は、ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)です。 高い切換えの頻度で機能する能力はまた他の代わりの設計利点を提供します。 これらの利点は電力管理および転換に頼るさまざまな企業を渡るSBDsの適用を増加させました

電気自動車では、SBDはよりコンパクトで、有効な機内充電器を可能にします。 また、より効率的なワイヤレス充電システムを促進しています。 世界中に加速する電化傾向により、電力変換と管理の需要が急速に高まっています。

この成長する要件は、新しいエネルギーシステムに関与するさまざまなアプリケーションでSBDのより広い使用のための大規模な機会を提供します。 幅広いバンドギャップ材料を使用した高度なSBDを開発する企業は、パワー半導体市場で著しく得ることができます。

主要プレーヤーが採用した主な勝利戦略 パワー半導体市場

戦略 2:製品ポートフォリオを拡大するための戦略的買収

2016年、オンセミコンダクターは、フェアチャイルド半導体を買収し、電力とアナログソリューションを強化しました。 自動車、産業、モバイル市場におけるONの位置を強化

戦略 4:戦略的パートナーシップの構築と合意の締結

2018年、三菱商事は、自動車用マイクロコントローラ用のRenesasと5年間の戦略的パートナーシップと多年にわたる供給契約を締結しました。

セグメント分析 パワー半導体市場

洞察力、材料によって: 広いバンドギャップ材料のAscendance

素材の面では、2024年にパワー半導体市場の47.3%のシェアを獲得しています。 しかし、シリコンカーバイド(SiC)とガリウム窒化物(GaN)をベースにしたパワー半導体は、従来のシリコンと比較して優れた材料特性により、迅速な受諾を得ています。 SiCデバイスは、シリコンよりもはるかに高い電圧、電流、温度で動作させることができます。 電力損失を大幅に削減し、電気自動車、高速充電ステーション、再生可能エネルギー機器などの電力変換に最適です。

一方、GaN 半導体は、SiC よりも高い効率性を向上し、周波数を切り替えます。 高い故障電圧で非常に低い抵抗を結合します。 GaNコンポーネントのコンパクトなサイズで、より強力で小型の電源が可能です。 SiCとGaN半導体製造における継続的な進歩により、シリコンの需要変化を著しく捉え、その用途は急速に成長しています。

追加の洞察 パワー半導体市場

• 電気自動車のSiCの採用: Teslaのような企業は、車両にSiCパワー半導体を統合し、効率性と運転範囲を改善しています。
• 5Gインフラ拡張:5Gネットワークの展開により、高い周波数と電力レベルを処理するパワー半導体の需要が高まります。
• 自動車セクター 貢献: 主にEVブームによるパワー半導体市場の31.4%のセクターアカウント。
• アジアパシフィック市場 シェア: グローバルパワー半導体市場の約42.7%を保有し、ハブやコンシューマーベースの製造に起因しています。
• シフトトゥワード 再生可能エネルギーへの投資は、この分野において、年間8%の電力半導体需要を増加させる予定です。

競合の概要 パワー半導体市場

パワー半導体市場で動作する主要なプレーヤーには、インフィノンテクノロジーズAG、テキサスインスツルメンツ株式会社、STMicroelectronics NV、東芝株式会社、三菱電機株式会社、レネサス電子株式会社、ブロードコム株式会社、オンセミコンダクター株式会社、ローム株式会社、Nexperia BV、富士電機株式会社、NXPセミコンダクターN.V.、レネサス電子株式会社、アナログデバイス株式会社などがあります。

最近の動向 パワー半導体市場

パワー半導体市場 セグメンテーション

• コンポーネント別
  • パワー集積回路
  • ディスクリート
  • モジュール
• 材料によって
  • シリコン/ゲルマニウム
  • 炭化ケイ素(SiC)
  • ガリウム窒化物(GaN)
• エンドユーザー業界別
  • 自動車産業
  • 消費者エレクトロニクス産業
  • 軍隊および宇宙空間の企業
  • IT・通信業界
  • 産業産業
  • その他のエンドユーザー・インダストリーズ